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靈敏度：氣敏光電開關MOSFET的靈敏度定義為器件閾值電壓與氣體體積分數的關系。當有氧氣存在時，氫分子和氧分子在PD表面發(fā)生化學反應生成水分子，由于水分子吸附在PD表面，使氫的數減小。氧氣密度越大，氫的覆蓋系數越小，從而影響了器件的靈敏度。 溫度特性：氫氣敏感傳感器在室溫和惰性氣體中，有一定的靈敏度，但響應時間或恢復時間太長。通過實驗得到。PD柵氣敏MOSFET的工作溫度最好選擇在一百五十度附近。 響應特性：當氣體濃度發(fā)生變化時，PD柵氣敏MOSFET的閾值電壓UT隨時間而變化，并逐漸達到穩(wěn)定值。這一過程與氣敏MOSFET的響應特性有關。氣敏MOSFFR的響應特性可以用響應時間和恢復時間來描述。 器件從氫氣階躍變化開始直到穩(wěn)定值的百分之九十五所用的時間稱為器件的響應時間。器件從氫氣環(huán)境突然置于空氣中，器件輸出達到穩(wěn)定值的百分之九十五所用的時間為器件的恢復時間。 穩(wěn)定性：PD據氣敏MOSFET的閥值電壓UT隨時間發(fā)生緩慢的漂移，影響氫氣MOSFET穩(wěn)定性的因素主要有兩個方面：一方面是氫敏傳感器PD柵膜層的鼓包現象。另一方面是PD——SIO2-SI結構在氫氣中存在滯后現象。 該類傳感器是一種新型器件，特性沿不穩(wěn)定，還不能用PD-MOSFET定量檢測氫氣的體積分數，只能用作H2的泄漏檢測。 |
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